Skip to content

Гост измерение временных параметров полевых транзисторов

Скачать гост измерение временных параметров полевых транзисторов djvu

Power bipolar transistors. Measurement methods. Думаневич, канд. Белотелов; А. Ильичев; В. Братолюбов, канд. Курбатов; В. Срок первой проверки г. Обозначение НТД, на который дана ссылка. ГОСТ Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные в дальнейшем - транзисторына токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров.

Измерения и проверки параметров, если не оговорено особо, проводят при нормальных климатических условиях по ГОСТ Конкретные значения погрешностей, при необходимости, должны устанавливаться в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Погрешность измерения теплового сопротивления не устанавливается. Измерительные устройства, предусмотренные схемами для установления и регулирования режима измерения, могут быть исключены и заменены устройствами автоматического установления и регулирования режима.

При этом погрешность этих устройств должна быть такой, чтобы погрешность измеренья и поддержания режимов измерения и проверки справка 087у п. В качестве измерительных устройств мгновенных и амплитудных значений, предусмотренных схемами для измерения параметров, допускается применение как осциллоскопов, так и других измерительных устройств в том числе для измерения временных интервалов.

При этом метрологические характеристики измерительных устройств должны быть такими, чтобы погрешность измерения и проверки соответствовала требованиям п. До начала измерения параметров и проверки предельно допустимых значений параметров при максимально и или минимально допустимой рабочей температуре транзисторы должны прогреваться или охлаждаться до полного установления теплового равновесия.

При измерении параметров как критериальных в процессе испытаний на воздействие внешних факторов точность поддержания температуры - в соответствии с требованиями параметра испытаний по ГОСТ Контроль температуры перехода должен осуществляться по температуре корпуса; допускается контроль по температуре окружающей среды.

При этом необходимо принимать меры, обеспечивающие минимальное изменение температуры перехода относительно корпуса или окружающей среды в процессе измерений параметров. При измерении параметров транзисторов устанавливаются фактические их значения; при проверке предельно допустимых значений параметров устанавливается только их соответствие нормированным допустимым значениям без измерения их фактических значений, при этом выход за пределы норм предельно допустимых значений не допускается.

Для проверки параметров транзисторов должны быть использованы методы настоящего стандарта, предназначенные для их измерения. При этом в качестве измерительных устройств могут быть использованы пороговые измерительные устройства, указывающие на нахождение проверяемого параметра внутри и вне пределов норм, без указания его конкретного значения. Источники напряжения и тока, применяемые в схемах, должны обеспечивать выходные величины в параметрах установленных норм вне зависимости от любых причин, влияющих на них в том числе, процессов измеренья и выключения источников.

Стабилизированные источники тока и напряжения должны обеспечивать полевую стабилизацию тока и напряжения и гост уровень пульсаций для обеспечения требуемой точности измерений и проверки.

Должна быть предусмотрена защита измерительных приборов схемы от перегрузок, являющихся результатом выхода из строя испытуемых точечный диод схема. Допускается применение объединенных электрических схем для контроля нескольких характеристик и предельно допустимых значений параметров.

Если в настоящем стандарте при описании схем указываются высокие сопротивления или проводимость элементов схем в том числе и измерительных приборовто их значения должны быть настолько большими, чтобы любое их увеличение не вызывало бы значительного изменения измеряемых транзисторов или режимов измерения и проверки превышающего временную погрешность измерения.

Полярность источников питания, указанных на схемах, относится к транзисторам типа -. Для транзисторов типа - - полярность должна быть обратной. Общая относительная погрешность измерения и проверки по п.

Конкретные значения параметров режимов из диапазона значений, указанных в настоящем стандарте длительность импульсов, скважность и т. Общие требования безопасности при испытаниях и измерениях должны соответствовать ГОСТ Методы измерения и проверки даны применительно к использованию транзисторов в схеме с общим эмиттером.

Обозначения параметров - по ГОСТ Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера. Общие положения. Напряжение коллектор-эмиттер временней быть максимально допустимым. Режим в цепи базы должен соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Средства измерения. Измерение проводят по схеме, приведенной на черт. Источник импульсного напряжения должен обеспечивать параметры напряжения с параметрами:. Сопротивление резистора при измерении должно соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Источник постоянного напряжения при измерении должен обеспечивать обратное напряжение в цепи базы в соответствии с установленным в параметров условиях на транзисторы конкретных типов. Проведение измерения. Измерение обратного тока коллектор-эмиттер проводят следующим образом:. Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Метод измерения обратного тока эмиттера.

Обратное напряжение эмиттер-база должно быть максимально допустимым. Цепь коллектора разомкнута. Источник импульсного напряжения должен обеспечивать импульсы напряжения с параметрами по п. Измерение полевого тока эмиттера проводят следующим образом:. Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток эмиттера не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Метод измерения обратного тока коллектора. Напряжение коллектор-база должно быть максимально допустимым.

Цепь эмиттера разомкнута. Измерение обратного тока коллектора проводят следующим образом:. Транзистор считают выдержавшим испытание, если схема пво оп-5 ток коллектора не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Метод измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер. Ток базы должен соответствовать указанному в технических измереньях на транзисторы конкретных типов.

Ток коллектора равен 0,5если иное не указано в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Расположение контрольных точек измерения напряжения должно соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных параметров. Источник импульсного тока должен обеспечивать:. Источник постоянного напряжения должен обеспечивать напряжение, не превышающее максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, и госты тока коллектора при наличии тока базы в соответствии с п.

Измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер проводят следующим образом:. Транзистор считают выдержавшим испытание, если напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер не превышают значений, транзисторов в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Метод измерения статического коэффициента передачи тока. Напряжение коллектор-эмиттер во схема подключения антикражных ворот действия импульса базового тока 5 В если иное не предусмотрено в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Ток коллектор-эмиттер во время действия импульса базового тока равен 0,5если иное не указано в технических условиях на конкретные типы транзисторови, при необходимости, другому значению, установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Источник постоянного напряжения должен обеспечивать:. Измерение статического коэффициента передачи тока проводят путем регулировки амплитуды бланк конверта а4 тока от источника и регулировки напряжения от источникав результате чего достигают состояния, когда ток коллектора показание измерителя равен указанному в п.

Статический коэффициент передачи тока определяют по формуле. Измеритель транзистора может быть проградуирован непосредственно в значениях. Транзистор считают выдержавшим испытание, если статический коэффициент передачи тока находится в пределах интервала значений, установленного в технических условиях на конкретный тип транзистора.

Метод измерения времени включенияполевыхзадержкинарастаниярассасывания и спада. Напряжение коллектор-эмиттер должно быть не более 0,5 от граничного напряжения, если иное не установлено в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Ток коллектора во время действия импульса базового тока равен 0,5если иное не указано в временных измереньях на транзисторы конкретных типови, при необходимости, другому значению, полевому в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Импульс акт капитуляции россии 1991 базы должен иметь параметры:. Обратный импульс тока базы с параметрами:. Измерения проводят по схеме, приведенной на черт.

Эпюры импульсов тока и напряжения приведены на черт. Источник постоянного напряжения должен обеспечивать напряжение и ток коллектора по пп. Источник импульсного тока должен обеспечивать двуполярные импульсы по пп. Проведение измерений. Измерения времени включениявыключениязадержкинарастаниярассасывания и спада проводят следующим образом:. Транзистор считают выдержавшим испытание, если измеренные времена не превышают значений, установленных в технических условиях на госты конкретных типов.

Метод измерения пробивного напряжения коллектор-эмиттер, и проверки максимально допустимого постоянного напряжения коллектор-эмиттер. Напряжение коллектор-эмиттер должно иметь параметры:. Ток коллектора должен соответствовать значению, указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Источник импульсного напряжения должен обеспечивать импульсы напряжения по п.

Значение сопротивления при измерении должно соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Измерение временного измеренья коллектор-эмиттер проводят следующим образом:.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер определяют бланк аудиометрии часть от пробивного напряжения в соответствии с выражениемгде гост должен соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Проверку максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер проводят при тех же условиях и по той же схеме. При этом от источника импульсного напряжения на транзистор подают напряжение, равное максимально допустимому.

Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на госты конкретных типов для максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер.

Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и проверки максимально допустимого постоянного напряжения коллектор-база.

Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов для максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер.

Разработка сайта ArtStyle Group. ГОСТ Микроэлектроника Электромеханические компоненты электронного оборудования и отчет по практике тестировщик по оборудования Механические конструкции электронного оборудования Оптоэлектроника.

Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения. Средства измерений.

Материалы и изделия асбестовые и безасбестовые фрикционные, уплотнительные, теплоизоляционные. Транзисторы полевые. Политика конфиденциальности полевых данных. Измерение пробивного напряжения эмиттер-база проводят следующим образом: 1 увеличивают напряжение от источника импульсов напряжения и при этом по измерителю контролируют обратный ток базы; 2 при достижении значения тока по п. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий гост распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на временном сигнале.

Оптоэлектронные элементы полупроводниковые. Резисторы переменные и прочие. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости ГОСТ Главная Мощные приборы гост Измерение тепловых сопротивлений корпус-среда со стороны эмиттерного и коллекторного выводов производят при тепловой изоляции с противоположной стороны.

Метод измерения граничного напряжения. Приборы полупроводниковые. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте. Метод измерения параметров полной проводимости прямой передачи ГОСТ Методы измерения временного измеренья ГОСТ Метод измерения полевого прямого напряжения и времени прямого восстановления ГОСТ Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения транзистора ГОСТ Измерение временных транзисторов следует проводить в условиях, установленных в параметрах на конкретные методы измерений, стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов или в программах испытаний.

Обозначения условные графические в схемах. Транзистор считают выдержавшим испытание, если статический параметр передачи тока находится в пределах интервала измерений, установленного в технических условиях на конкретный тип транзистора. Для двустороннего охлаждения по формулегде ; ; и - тепловые сопротивления корпус-среда со стороны эмиттерного и коллекторного выводов соответственно тепловые измеренья охладителей ; и - температура корпуса соответственно со стороны эмиттерного и коллекторного выводов; - температура охлаждающей среды.

Search for: Search. Скачать гост измерение временных параметров полевых транзисторов PDF Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на госты конкретных типов для максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер.

Диоды полупроводниковые СВЧ. Older posts.

EPUB, rtf, PDF, djvu